近日,物理与电子科学学院金湘亮教授研究团队在国际电子마카오 카지노 바카라领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters上发表了题为“Total-Ionizing-Dose Tolerant SCR Devices with High Holding Voltage for ESD Protection”的研究论文(DOI: 10.1109/LED.2024.3477452),学院博士研究生刘煜杰为第一作者,刘小年老师和金湘亮教授为论文通讯作者。
图(a)是所设计的静电释放(ESD)保护마카오 카지노 바카라PGSCR的结构剖面图,得益于并联QNPN2管对QPNP和QNPN1管构成的主要可控硅(SCR)静电释放路径的分流作用,该마카오 카지노 바카라具有较高的维持电压,可以避免高电压电路正常工作时ESD路径的闩锁风险。图(b)是辐照前及不同总剂量辐照后(最高辐照总剂量达150 krad(Si))마카오 카지노 바카라的传输线脉冲(TLP)测试结果,TLP测试结果表明辐照后마카오 카지노 바카라的失效电流没有退化,其泄漏电流始终维持在纳安量级,这个结果优于已发表的ESD마카오 카지노 바카라,这表明PGSCR마카오 카지노 바카라具有极强的总剂量辐射耐受性。图(c)为本工作提出PGSCR마카오 카지노 바카라与行业同类型ESD保护마카오 카지노 바카라在关键参数方面的对比:PGSCR마카오 카지노 바카라具有高维持电压和维持电流,마카오 카지노 바카라的整体优值也优于其他同类마카오 카지노 바카라,该마카오 카지노 바카라可以在高达150 krad(Si)的总剂量辐照后维持相同的失效电流和泄漏电流。
这项工作研究了一种具有高维持电压和强辐照耐受性的高压(HV)静电放电(ESD)마카오 카지노 바카라PGSCR。该마카오 카지노 바카라采用标准0.18 µm BCD工艺制造。TLP测试表明,PGSCR的保持电压为18.79 V,保持电流为3.61 A。等效人体模型保护水平高达19 kV。此外,γ射线辐照实验表明,即使在150 krad(Si) 的总电离剂量(TID)辐照下,PGSCR在ESD性能方面的退化也很小,漏电流保持在nA水平。与现有的高压ESD保护마카오 카지노 바카라相比,PGSCR具有优异的面积效率、高总剂量耐受性和强抗闩锁性,这使其成为空间应用中高压ESD保护的理想마카오 카지노 바카라。
这项工作得到了国家自然科学基金62204083和62174052以及湖南省自然科学基金2024JJ6322的资助。
论文信息:Yujie Liu, Ke Zhang, Yansen Liu, Xiaonian Liu and Xiangliang Jin.“Total-Ionizing-Dose Tolerant SCR Devices with High Holding Voltage for ESD Protection”,IEEE Electron Device Letters, DOI: 10.1109/LED.2024.3477452.
论文链接:
一审:刘小年
二审:贺兵香
三审:廖洁桥